500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170643004.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

這是4*18W的線路,是APFC 6562+MOS840磁環(huán)驅(qū)動(dòng),現(xiàn)在主要的問題是2個(gè)
1．工作頻率太高了,會(huì)影響電解的壽命．
2．損耗太高了,有13W-14W,目標(biāo)是9W以下．
請(qǐng)各位幫忙看看,提點(diǎn)寶貴意見．
磁環(huán)是7K的10*6*5,

葉哥,在嗎?

頻率高才造成損耗高

是啊,把頻率降下來,是關(guān)鍵.
但驅(qū)動(dòng)部分應(yīng)該怎么調(diào)整呢?

電感量用多大的呀?減少磁環(huán)次級(jí)的匝數(shù),頻率可下降.

這個(gè)圖的電感量是2.3MH
減少次級(jí)的圈數(shù),是指的4T的還13T的呢?>

都試試看吧.這個(gè)關(guān)系到整個(gè)驅(qū)動(dòng)是路的匹配.只有慢慢調(diào)試.

4T減少到3T.

不錯(cuò),現(xiàn)在的損耗小了一點(diǎn).頻率降低了,現(xiàn)在的損耗是11.4W500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170688977.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

從理論上說,需要降低功率管的飽和程度以減少其本身的功耗

840的開關(guān)管溫度有點(diǎn)高,環(huán)境溫度22度,840的溫度是52度.
是不是覺得有點(diǎn)高啊,我以前調(diào)試三極管溫度不會(huì)超過環(huán)境溫度的20度.

大哥指點(diǎn)一下磁環(huán)驅(qū)動(dòng)MOS,電路如何設(shè)計(jì)啊!謝

驅(qū)動(dòng)電路就是用的上面的,有圖啊,
不過,4T最好改成3T

請(qǐng)把啟動(dòng)電路也介紹一下,我很想知道謝謝

普通的DB3觸發(fā)~~

各位兄臺(tái)你們好,如果需要用大功率單向可控硅請(qǐng)聯(lián)系我!
我公司生產(chǎn)大功率單向可控硅,可替代雙向可控硅實(shí)現(xiàn)高電壓的應(yīng)用,希望能在各類開關(guān)電源,無功補(bǔ)償控制器等領(lǐng)域與您合作!
       我公司的產(chǎn)品簡表如下;
單向可控硅:
TYN1890C 90A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-3P封裝
TYN1665C 65A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-247封裝
TYN1855C 55A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-247封裝
雙向可控硅:
BTB41-800S/1000S TO-3P封裝
BTB25-600/800 TO-3P封裝
可控硅全控模塊:
CTT116GK16 西班牙DEECorp品牌 116A 1600V

如有意請(qǐng)來電聯(lián)系

祝新年快樂
江蘇常鐘貿(mào)易
秦先生
137 7685 9705(手機(jī))/133 7226 2158(座機(jī))

單管工作不怎么穩(wěn)定~~~~
驅(qū)動(dòng)上還有一定的問題,對(duì)磁環(huán)的敏感度比較高~~~
大家還有什么好的方法嗎?

我想換用IR2520D,不知道大家用過這個(gè)芯片沒有??
有可靠的設(shè)計(jì)方案嗎?保護(hù)問題???
  
還有更好的芯片嗎 ?

求江,浙,滬的IR2520D供應(yīng)商,請(qǐng)盡快聯(lián)系我!!