這么好的資料,怎么沒有人頂呢

確實是好資料!   很好!

想請教樓主一個問題呀.
LLC諧振上管要實現(xiàn)ZVS,首先是下管結(jié)電容COSS2充電,上管的結(jié)電容COSS1放電,只要當(dāng)COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內(nèi)二極管放可以導(dǎo)通,此時才可以實現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細(xì)講解一下.

頂!
這個資料對于理解LLC相當(dāng)有價值!!!

靠下管的寄生電容實現(xiàn),當(dāng)下管關(guān)閉時電感對下管的寄生電容充電,很快將HB點的電壓充到VIN+0.7V,然后上管導(dǎo)通,這時上管就實現(xiàn)了ZVS.

謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認(rèn)為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.

謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振電容上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認(rèn)為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.

結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值,

我想是這樣的
LLC的電路我也沒有做過,只是看datasheet和原理說明書理解成這個樣子.

結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內(nèi)充到很高的值, 這樣去理解是對的.
但是為什么能充到比VIN還要高就有點費解.這個說明給結(jié)電容充電的電流源(LP+LS)的電壓值要高于VIN.而LP上面的電壓被輸出反射,只有N*V0,那么LS上面是不是也承擔(dān)了VIN/2的電壓值.