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power mos 這樣做可否降小其漏極與源極之間的壓降?

我有一款電源其輸出電壓為25VDC,在輸出端有接二個POWER MOS,MOS的壓降為1.3V,我有試著在柵極加一個300K的電阻來壓制漏極與源極之間的壓降.試問這樣做是否可行.謝謝!
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李紹波
LV.9
2
2006-09-09 14:25
電路形式是什么?MOS的做用是同步整流還是變換開關?

如果以上都不是,而只是一個開關而已,可以加高柵極驅動電壓,也可以換成低內阻的管.
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2006-09-09 15:06
@李紹波
電路形式是什么?MOS的做用是同步整流還是變換開關?如果以上都不是,而只是一個開關而已,可以加高柵極驅動電壓,也可以換成低內阻的管.
是上款開關電源加一個彩燈控制IC組成的一個控制器.MOS的作用只是做變換開關.如你所說的加高柵極電壓,可我這個是控制IC出來就直接MOS柵極,這樣根本沒辦法去提升柵極電壓.
我現在用的MOS是ST2304 SOT-23 內阻大至為十多個歐姆(要具體查一下資料)若換低內阻的MOS可是可行,但我現苦于兩個問題:一,這種低內阻的MOS比較少,特別是SOT-23封裝的.二,價各上可能會比現用的高.

但從解決問題點出發,可試試,不知你有沒有這方面的資料.謝謝!
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2006-09-09 15:41
沒人回了,自己頂一下!
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2006-09-09 15:58
你沒有掌握mosfet的使用重點,不管如何你的gate電壓一定要大於source端5v以上(如果是logic level mosfet)不然就要10v以上,也就是source輸出是6v那gate就必須11v以上,所以改成對0v做開關比較好吧.以上提供參考.
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李紹波
LV.9
6
2006-09-10 11:35
IC直推的話才5V,推動電壓不夠飽和導通的,要么加一級驅動,要么換管,還有一個小方法就是提高單片機的電壓到5.5-6V,因為單片機的耐電壓在應用中還是很高的,可以達到7V.
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