FQP12N60

600V N溝道MOSFET

概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的

,平面條形,DMOS技術.

這種先進的技術已特別針對最大限度地減少通態電阻,提供出色的

開關性能,并能承受高能量脈沖雪崩和換向模式.這些器件非常適

用于高效率開關模式電源.

TM

特點

10.5A, 600V, R

DS(on)

= 0.7

?

@ V

GS

= 10 V

低柵極電荷（典型42 nC的）

低Crss（典型值為25 pF的）

快速開關

100％雪崩測試

改進dv / dt能力