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小輩請求各位老前輩幫我改改反激開關電源設計計算過程這個作業

 ON 低功耗Flyback 反激變壓器計算3 

各位前輩 我從接觸反激開關電源開始到現在只有一個月左右的時間,期間看了一些資料和書籍,就是想自己設計一個簡單的單路輸出的5V 2A的反激開關電源,現在將我的設計過程發出來給大家看看,請求大家像老師改學生的作業一樣幫我改改里面有沒有算錯了的參數,因為我算到后面那個Ap值只有0.16左右 感覺不對啊!!在這里謝謝大家了~

下面是我的計算過程 我將其展示出來并將我主要的參考文檔-安森美的一篇計算反激開關電源的也展示給大家 ,請大家幫幫我看哪里出錯了 謝謝了~

要求采用途中所示的開關電源芯片,LD7539,輸入交流電壓范圍為VAC185VVAC265V  輸出功率為5V 2A 效率為75%。其他要求暫無。

第一:確定繞組數

首先根據提供的方案,知道該反激變壓器有三個繞組,一次側兩個,二次側一個,一次側上面的那個繞組為整流濾波后的輸入,一次側下面繞組為開關電源IC提供電源電壓。二次側繞組為開關電源輸出。

第二:電源部分設計:

輸出功率5V 2A,即Pout=Vout*Iout=10W

根據開關電源ICDATASHEET,提供給芯片的電源電壓VCC=16V,

變換器最小直流整流電壓為Vbulk-min=2×185=262V

預計輸入功率Pin=Pout/η=10/0.75=13.3W

平均輸入電流Iin-avg=Pin/Vbulk-min=0.05A

Cbulk的取值為Cbulk=Pout×3uF=13.3×3=39.9uF47uF  (該經驗來自《精通開關電源》)

耐壓VACmax×√2=374,400V即可

根據開關電源ICDATASHEET可知開關頻率為Fsw=65K

盡量使用較經濟的耐壓為600VMOSFET作為開關管,留出10%的余量則為540V(該經驗來源于<精通開關電源>

鉗位電壓Vclamp=0.9×BVdss-Vbulk-max=540V-2×265=166V

一次側的反射電壓VOR=Vclamp/1.4=166/1.4=119V(該經驗來自《精通開關電源設計》)

尖鋒漏感電壓Vleak=Vlamp-VOR=166V-119V=47V

最大占空比DCmax=VOR/(VOR+Vbulk-min)=119V/(119V+262)=0.31。(CCM工作模式)。

次初級匝數比N=Vout+Vd/VOR=(5+1)/119=0.05

反射到初級繞組的等效電感平均電流IL-avg=Iin-avg/ DCmax=0.05A/0.31=0.16A

反激變壓器的電流紋波率通常取r=0.5(該經驗來自《精通開關電源》)

初級繞組等效電感的峰值電流Ipeak=IL-avg×(1+r/2)=0.2A

電流紋波值ΔI=r×IL-avg=0.5×0.16A=0.08A

變壓器初級繞組電感Lprim=(Vbulk-min×DCmax)/(Fsw×ΔI)=(262×0.31) /(65000×0.08)=15.6mH

初級繞組的電流的最大均方根值

=√(0.31×(0.2×0.2-0.2×0.08+0.08×0.08/3))=0.09A

次級繞組的電流的最大值 Isec-peak=Ipeak/N=0.2A/0.05=4A

次級繞組的電流紋波值 ΔIsec=ΔI/N=0.08/0.05=1.6A

流過次級繞組的電流的最大均方根值

Isec-RMS=√((1-0.31)×(16-4×1.6+1.6×1.6/3)=2.685A

Q1導電損耗應該是接近輸出功率(Pout)的1%,因此開關管的靜態導通電阻

RDS(on)Pout/(100×IprimRMS×IprimRMS)=10/(100×0.09×0.09)=12Ω

根據以上參數選擇恰當的MOSFETVDSMAXIpeaktontoff

VSSMAX=600V

Ipeak=0.2A

Ton=T*Dcmax=1/65000×0.31=4.77nS(CCM)

Toff=1/f-Ton=10.63nS

CS引腳上的電流檢測電阻Rs=VLIM/Ipeak=0.85V/0.2A=4.25Ω取4.7Ω

Rs的功耗Ps=Iprim-RMS×Iprim-RMS×Rs=0.09×0.09×4.7=0.038W

二極管D1的選擇

反向電壓Vreverse=Vbulk-max×N+Vout=374V×0.05+5V=24V

Isec-peak=4A

輸出電容Cout的選擇

Cout(Iout×Dcmax)/(Vout-ripple×Fsw)=2A×0.31/5×2%×65000=(這里取Vout,ripple2%Vo=95.38uF,取100uF 15V即可。

ESRVout-ripple/Isec-peak=5×2%/4A=0.025Ω

.

RCD鉗位-一階疊代

Rclamp=2Vleak×Vclamp/(Lleak×Ipeak×Ipeak×Fsw)   (Lleak為一次側漏感)

CclampVclamp/(Vripple×Rclamp×Fsw)=

(輸入濾波電容的紋波電壓Vripple一般取5%~10%Vclamp

瞬態電壓抑制器的功耗Pclamp=Vclamp×Vclamp/Rclamp

選擇磁芯:Ve=0.7×(2+r)的平方×Pin/(r×f)=1.79cm3(該經驗來自<精通開關電源>)

查數據手冊可得:應該選擇的磁芯的型號為EI25,其中咨詢了一些前輩們,推薦用EI22,后經過再三考量生怕作為初學者繞不下去的事情發生,還是選擇了EI25好繞點。

全部回復(16)
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david0015
LV.4
2
2013-03-08 11:34
變壓器初級繞組電感Lprim=(Vbulk-min×DCmax)/(Fsw×ΔI)=(262×0.31) /(65000×0.08)=15.6mH。????是1.5mH吧
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david0015
LV.4
3
2013-03-08 11:43
根據輸入交流電壓范圍要求:185VAC~265VAC??????是85AC-264AC吧???
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2013-03-08 13:06
@david0015
變壓器初級繞組電感Lprim=(Vbulk-min×DCmax)/(Fsw×ΔI)=(262×0.31) /(65000×0.08)=15.6mH。????是1.5mH吧

你好 很感激您的回復 真的!! 是15.6mH   262×0.31=81.22V 而65000×0.08=5200

81.22/5200=0.0156=15.6mH

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2013-03-08 13:06
@david0015
根據輸入交流電壓范圍要求:185VAC~265VAC??????是85AC-264AC吧???
你好 謝謝您的回復 這個范圍是給定的 不是全電壓輸入 是任務要求定的
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老梁頭
LV.10
6
2013-03-08 18:38
@tangcangeng
你好謝謝您的回復這個范圍是給定的不是全電壓輸入是任務要求定的
15.6mH的電感量,你的圈數會很多的。怕你變壓器繞不下呀···
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2013-03-08 19:57
@老梁頭
15.6mH的電感量,你的圈數會很多的。怕你變壓器繞不下呀···
你好 可是我感覺我的計算公式是對的 怎么辦呢?
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老梁頭
LV.10
8
2013-03-08 20:14
@tangcangeng
你好可是我感覺我的計算公式是對的怎么辦呢?
功率這么小,設計成DCM模式吧。然后把MOS的余量留的稍微大點吧。怕你到調試的時候就知道尖峰很大的···
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2013-03-08 20:18
@老梁頭
功率這么小,設計成DCM模式吧。然后把MOS的余量留的稍微大點吧。怕你到調試的時候就知道尖峰很大的···
你好  前輩 您也感覺我前面一直到求Lprim的公式都是對的嗎?
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老梁頭
LV.10
10
2013-03-08 20:27
@tangcangeng
你好 前輩您也感覺我前面一直到求Lprim的公式都是對的嗎?
最低輸入電壓不是那樣算出來的···
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tangcangeng
LV.2
11
2013-03-08 20:40
@老梁頭
最低輸入電壓不是那樣算出來的···
前輩你好 謝謝您的回復 那應該是一個什么公式呢? 給我的條件是輸入電壓從AC185V~265V,可以這個185V是一個交流的 它整流后的直流值應該是√2*185呀 還有前輩您剛才跟我說了將余量多留點 我將其改成了MOS管的85%,結果最大占空比DCmax降為0.27并且初級繞組電感降到了8mH,這個值可以接受嗎?
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老梁頭
LV.10
12
2013-03-08 21:17
@tangcangeng
前輩你好謝謝您的回復那應該是一個什么公式呢?給我的條件是輸入電壓從AC185V~265V,可以這個185V是一個交流的它整流后的直流值應該是√2*185呀還有前輩您剛才跟我說了將余量多留點我將其改成了MOS管的85%,結果最大占空比DCmax降為0.27并且初級繞組電感降到了8mH,這個值可以接受嗎?
一般最高電壓去√2倍,最低電壓去1.1-1.2倍。然后你可以設計成DCM模式···
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higel
LV.8
13
2013-03-08 22:01

 按DCM算,反射電壓取100V

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tangcangeng
LV.2
14
2013-03-08 22:02
@老梁頭
一般最高電壓去√2倍,最低電壓去1.1-1.2倍。然后你可以設計成DCM模式···
嗯 好的 謝謝您前輩 我按照您的要求再重新計算一次 然后把結果給您看看 再感謝您了
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tangcangeng
LV.2
15
2013-03-08 22:02
@higel
 按DCM算,反射電壓取100V[圖片]
謝謝前輩 謝謝了 我根據您提供的公式再推敲推敲 
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tangcangeng
LV.2
16
2013-03-09 11:08
@tangcangeng
謝謝前輩謝謝了我根據您提供的公式再推敲推敲 

您好前輩 我根據您的公式看了看 感覺進入DCM模式后初級電感量是降下來了  可是我用AP法來選擇磁芯的話得出來的值比以前還低 ,請問前輩您也是用AP法來選擇磁芯的嗎?? 如果是請告訴我我這樣子的出來的結果是對的嗎? 謝謝你了!!

AP=( (Lprim×Ipeak×Ipeak×104次方)/(Bmax×Kj×Ko) )1.143次方 (單位為cm4

=(0.002886×0.377×0.377×10000) /(0.2×450×0.35) )的1.143次方0.09  Kj通常取400~450  Ko通常取0.35

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tangcangeng
LV.2
17
2013-03-09 11:11
@老梁頭
一般最高電壓去√2倍,最低電壓去1.1-1.2倍。然后你可以設計成DCM模式···

你好前輩 13樓幫我用DCM的計算方法解決了初級電感量比較大的缺點了,可是這樣子以來如果我用AP法來選擇磁芯的話,得出來的值比以前還小,以前求出來是0.157,現在按照他給我計算的初級電感量Lprim和Ipeak,我帶入AP公式,求出來是0.09,這個值比以前還小,怎么選擇磁芯呢? 望前輩在空閑時間幫我看看 謝謝了

AP=( (Lprim×Ipeak×Ipeak×104次方)/(Bmax×Kj×Ko) )1.143次方 (單位為cm4

=(0.002886×0.377×0.377×10000) /(0.2×450×0.35) )的1.143次方0.097  Kj通常取400~450  Ko通常取0.35

 

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