可以百度一下本人發(fā)表的文章：淺析薄膜電容器在電磁加熱設(shè)備中的應(yīng)用 

里面有很具體的說(shuō)明。

當(dāng)然最好能用大電容，但選用大電解壽命體伿有影響。

這個(gè)電容更多是直流母線尖峰吸收作用，所以最好跟功率器件就近安裝。

該電容提供高頻電流的回路。因?yàn)橥ㄟ^(guò)的是幾十K頻率的電流，所以容量不必大。

如果要提供整流后平穩(wěn)的直流電壓，就要用大電解了。為了防止大電解發(fā)熱，還得用扼流圈和5到10多微法的高頻無(wú)感電容提供高頻回路通道。這樣做體積和成本大大增加。如何做是由設(shè)計(jì)者自已決定了。

C3: 整流后平滑濾波、直流支撐(DC-Link),吸收紋波和完成交流分量的回路。C3和扼流圈L組成LC電路,把三相橋式整流后的脈動(dòng)直流電變?yōu)槠交闹绷麟?/span>,供后級(jí)逆變橋及負(fù)載使用.在商用電磁灶機(jī)芯實(shí)際電路中,C3一般是由幾十微法的薄膜電容器組成.該位置的薄膜電容器其實(shí)所起的作用是直流支撐(DC-LINK),負(fù)責(zé)紋波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所認(rèn)為的(濾波).幾十微法的電容量,對(duì)于幾十千瓦的負(fù)載來(lái)說(shuō),所起到的濾波作用是非常小的,直流母線的電壓波形根本就無(wú)法變得很平滑.由于IGBT的高速開關(guān),會(huì)產(chǎn)生大量的高次諧波電流及尖峰諧波電壓.如果沒(méi)有電容器作為諧波電流和尖峰電壓的吸收,那么直流母線回路會(huì)產(chǎn)生大量的自激振蕩,影響IGBT等的安全使用及縮短壽命時(shí)間.因此,使用薄膜電容器作為直流母線紋波電壓和紋波電流的吸收是目前國(guó)內(nèi)外最常用的方法之一。

C3原則上選用的電容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是電容量過(guò)大,容易導(dǎo)致設(shè)備剛合閘上電的時(shí)候,由于電容器的瞬間充電電流過(guò)大而導(dǎo)致整流橋,保險(xiǎn)管等過(guò)流擊穿.在商用電磁灶機(jī)芯里,一般的選用原則是:半橋方案(1.5μF/KW) 全橋方案(1.2μF/KW).該配置是根據(jù)常規(guī)的薄膜電容器能承受的2A/μF的設(shè)計(jì)工藝所推斷。

例如商用電磁灶半橋20KW機(jī)型,需要的C3容量是20*1.5=30μF  C3的總紋波電流是30*2=60A  全橋20KW機(jī)型,需要的C3容量是20*1.2=24μF（實(shí)際可取25－30μF） C3的總紋波電流是25*2=50A  建議實(shí)際選取的電容量及電容器能允許承受的紋波電流值不能低于上述建議值。

C3位置必須要考慮電路實(shí)際需要的紋波電流值是否小于所選用的薄膜電容器能承受的總紋波電流值(還要保留一定的電流余量),否則假如電路需要60A的紋波電流,而選擇的電容器總共能承受的紋波電流只有40A,那么會(huì)導(dǎo)致薄膜電容器發(fā)熱嚴(yán)重,長(zhǎng)期過(guò)熱運(yùn)行,大大降低薄膜電容器的使用壽命,嚴(yán)重的導(dǎo)致薄膜電容器膨脹鼓包,甚至起火燃燒.耐壓方面,一般選擇額定電壓為800－1000V.DC即可.

 

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淺析薄膜電容器在電磁加熱設(shè)備中的應(yīng)用--《電源世界》2012年10期    創(chuàng)格電子  麥工

謝謝，麥工和各位前輩的幫助

不客氣。希望對(duì)你有幫助。

按照麥?zhǔn)蕉桑?/p>

if （全橋方案==真）

{額定功率=10*1kw；}//也就是說(shuō)如用10uF電容，你機(jī)子的額定功率不能超過(guò)10kw。

 

要看具體是什么機(jī)子了。

 麥工：從附圖半橋拓?fù)淇梢钥闯觯珻2也部分充當(dāng)了交流回路的功能。這樣的話對(duì)C1容值的要求是否會(huì)低點(diǎn)。

你這個(gè)電路，是半橋的，C2和C3是作半橋諧振電容的作用，作為半橋分壓和濾波的成分比較小，主要都是做LC諧振。

除非是C2和C3容量比較大，然后電容中點(diǎn)再接一只電容和L串聯(lián)，這樣的話，C2和C3才是做半橋分壓的作用大一點(diǎn)。深圳高技公司有一款機(jī)子就是這樣的拓?fù)洹?/p>

中點(diǎn)加電容和電感串聯(lián)，相當(dāng)于增大了諧振電容。這樣做的話就可以把C2，C3用小點(diǎn)的封裝，再選個(gè)稍大點(diǎn)的電容和電感串聯(lián)。也是種減小電路板面積的辦法。

樓上的解釋和麥工的說(shuō)明是相勃的。電容串聯(lián)的結(jié)果是容量變小。中間串了大電容，C1，C2能減小嗎？串了大電容即使C1、C2不減小，諧振電容的容量已經(jīng)小了吧。

上一貼中說(shuō)的C1、C2應(yīng)當(dāng)是C2、C3，打錯(cuò)了，糾正一下。

是的，三月天誤解了我的觀點(diǎn)。

半橋分壓電容，電容量會(huì)比較大，耐壓低，電流是線圈電流的一半。

不好意思，我犯了個(gè)低級(jí)錯(cuò)誤。

既然是要變小諧振電容，為何不直接改小2個(gè)分壓電容，而去串個(gè)電容進(jìn)去呢？

你不理解了。對(duì)于沒(méi)輸出變壓器的電磁加熱串聯(lián)諧振半橋電路，有三種的。一種就是普通的兩只電容串聯(lián)。一種就是兩只電容串聯(lián)，中點(diǎn)再串一只電容。一種就是日本那邊流行的非對(duì)稱半橋。

 

 

第一個(gè)圖，C3 C4就是半橋諧振電容。

第二個(gè)圖，C3 C4是分壓電容，提供中點(diǎn)電壓，C5才是諧振電容。（C3 C4容量比較大，電壓低，而C5容量比較小，電壓高。）

半橋還有一種接法，中點(diǎn)接一個(gè)諧振電容后串線圈接高壓地。類似于音響電路中的OTL輸出。但是為了安全起見，我還是在線圈二端都串電容，這樣線圈與電源間至少有個(gè)直流隔離。

沈工能否上圖看看？

我已經(jīng)表達(dá)清楚了。就懶得上圖了。

IGBTSY 說(shuō)的是OUTb1再增加一個(gè)電容。

 

這一個(gè)文獻(xiàn)里找到個(gè)這樣的半橋拓?fù)?，不過(guò)文獻(xiàn)說(shuō)比較少用。 這個(gè)就是igbtsy的意思吧。

線圈左邊還得加個(gè)電容，起直流隔離作用，以示安全。

安全和成本，絕大部分廠家都選擇了后者，呵呵，這就是國(guó)內(nèi)的現(xiàn)狀。

很想知道你用什么軟件畫電路圖

protel 99  powerPCB  CAD等吧，軟件比較多的。

我們那年代就只有protel99

看10貼，我猜是windows畫筆畫的

也有可能，哈哈。

猜對(duì)了，賞個(gè)棒棒糖。

protel 99 經(jīng)久不衰呀。