如圖所示 用的是IR公司的IRF630所搭的電路，
因?yàn)樽罱P(guān)于mosfet的工作原理很是糾結(jié)，想驗(yàn)證一下mosfet能不能雙向?qū)ǎ鶕?jù)電流波形圖
似乎能得到電流可以雙向?qū)ǖ倪@個(gè)結(jié)論。
請(qǐng)高手指點(diǎn)迷津，關(guān)于mosfet網(wǎng)上有人說(shuō)可以雙向也有人說(shuō)只能單向，困惑呀 。
mosfet是雙向的么
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@nod32-a
拋開漏源之間的方向二極管不說(shuō)，單從原理上來(lái)說(shuō)是可以的，柵源電壓大于開啟電壓，導(dǎo)電溝道便形成，也沒(méi)有規(guī)定漏極電壓一定要高羽柵極電壓，所以應(yīng)該是可以正反導(dǎo)通的，但是我想正反導(dǎo)通電流的能力應(yīng)該是有區(qū)別的。
MOSFET VDS接負(fù)電壓使用
1. N-Channel MOSFET的制造工藝
N-Channel MOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴(kuò)散/外延2個(gè)N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G.
當(dāng)G/S間加正電壓時(shí),由于絕緣層的存在,沒(méi)有電流流過(guò),但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負(fù)電的耗盡層.
當(dāng)Vgs增加時(shí),耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過(guò)Vgs(th)時(shí),襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個(gè)反型層就是導(dǎo)電的溝道.
2. N-Channel MOSFET 電流的形成
由N-Channel MOSFET的制造工藝可以看到,導(dǎo)電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過(guò)門檻的電壓，就會(huì)在D,S之間形成導(dǎo)電溝道。此時(shí)，只要在D,S間加電壓就有電流流過(guò)。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負(fù)電壓，電流由S流向D；
3. 寄生二極體從何而來(lái)？
一般MOSFET出廠時(shí)，通常會(huì)將源極S和襯底短路以降低導(dǎo)電溝道形成的門檻電壓，這樣在源極就通過(guò)襯底同D極之間形成PN結(jié)，即我們常說(shuō)的寄生二極體
4. V（DS）為負(fù)時(shí)，電流是否從寄生二極體流過(guò)？
在D,S之間增加負(fù)電壓時(shí)，由I*Rds(on)
5. 為何一般規(guī)格書中都沒(méi)有反向?qū)ǖ囊?guī)格
我們所看的一般文檔都是著重闡明如何去控制MOSFET的開通和關(guān)斷，而規(guī)格書中一般給出的是D電壓高于S,而不是S高于D,因?yàn)楹笳呦喈?dāng)于MOSFET處于失控狀態(tài).
6. 結(jié)論：
由以上闡述可知：MOSFET的電流是可以雙向流動(dòng)的且正向?qū)ê头聪驅(qū)ň哂邢嗤奶匦浴?/span>
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@roc918
MOSFETVDS接負(fù)電壓使用 1. N-ChannelMOSFET的制造工藝N-ChannelMOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴(kuò)散/外延2個(gè)N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G. 當(dāng)G/S間加正電壓時(shí),由于絕緣層的存在,沒(méi)有電流流過(guò),但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負(fù)電的耗盡層.當(dāng)Vgs增加時(shí),耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過(guò)Vgs(th)時(shí),襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個(gè)反型層就是導(dǎo)電的溝道. 2.N-ChannelMOSFET 電流的形成由N-ChannelMOSFET的制造工藝可以看到,導(dǎo)電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過(guò)門檻的電壓，就會(huì)在D,S之間形成導(dǎo)電溝道。此時(shí)，只要在D,S間加電壓就有電流流過(guò)。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負(fù)電壓，電流由S流向D； 3. 寄生二極體從何而來(lái)？一般MOSFET出廠時(shí)，通常會(huì)將源極S和襯底短路以降低導(dǎo)電溝道形成的門檻電壓，這樣在源極就通過(guò)襯底同D極之間形成PN結(jié)，即我們常說(shuō)的寄生二極體 4. V（DS）為負(fù)時(shí)，電流是否從寄生二極體流過(guò)？在D,S之間增加負(fù)電壓時(shí)，由I*Rds(on)
雖然我說(shuō)不出原因，但是我感覺(jué)正方向?qū)娏鞯哪芰κ遣煌模?/p>
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