你好，這個電路中沒有加吸收保護吧？如果要加的話加什么樣的比較好。電路圖是參考的1500w的..。

您對只擊穿GD，而GS DS沒有被擊穿有什么想法嗎？

朋友，你說驅動是由單片機提供，那么你的程序是否加入了死區時間？未加必損壞一管無疑

你的語句有問題。

1.既然叫推挽，一管導通時，另一管截止，一個周期內最大的程度應該是各導通一半的時間，亦即是每管的占空比是最大也是50%，何來占空95%之說？難道你做的推挽兩管導通時間都不同的嗎？或者說你兩管相同的，占空比加起來不超過95%？都不重要了，無論你如何，我所說的死區指的是一個管截止后要延時一定的時間，另一管才能導通。這段時間幾us足以。不需要死區的說法是錯誤的，不過變壓器設計在2KHZ以下推挽頻率下不加延時語句也不會產生燒管的現象，但不意味著死區不存在，而是低頻率的驅動時間自身化解了上下場管共通的避免時間了。像你如果搞幾十KHZ設計的磁芯的話，不加死區時間意味著實驗的失敗。

2.但單片機上電時刻是不穩定的，IO口都有導通的現象，所以單片機IO口應該經過門電路和阻容的延時達到避免上電時IO口同時導通的現象。