BP3122缺點如下
1、此芯片為雙芯片封裝:控制+MOS管=BP 3122,在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,組成了:BP 3122。雙芯片封裝存在很大的風險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復雜、要求相當高,經常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風險。
2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴格)。
3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。
4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!
SM7523優點如下
1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!
2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標是:730V的標準。
3. 芯片采用高壓內部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩定的因素。
4. 芯片內部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中,效率高達80%。