BP3122缺點如下
1、此芯片為雙芯片封裝：控制+MOS管＝BP 3122，在控制及MOS管之間需要打五根線，最后才會將控制+MOS封成SOP8，組成了：BP 3122。雙芯片封裝存在很大的風險，因芯片與芯片之間要打線，在封裝的制程工藝上很復雜、要求相當高，經常存在打線不牢，或者輕重不一，在終端客戶使用過程中經過熱漲冷縮，引起芯片與芯片之間管腳脫層，直接影響芯片的可靠性及良率，雙芯片封裝還會增加炸機的風險。
2、MOS管的最高耐壓值為：650V（對變壓器要求嚴格）。
3、恒流范圍窄，不能帶單顆紅色燈。
4、會有燈閃爍的問題，需要在原副邊增加Y電容解決該問題！
SM7523優點如下
1、我司SM7523是單芯片的封裝，對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好！
2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝，耐壓值可以做到700V以上，我司的成測指標是：730V的標準。
3. 芯片采用高壓內部自啟動電路，解決外部高壓電阻啟動的弊端（如：失效、炸機、高壓放電）等不穩定的因素。
4. 芯片內部VDD智能供電電路，解決VDD外部供電問題，對電容的要求不高（如：電容耐壓、容值、ESR\ESL）。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W，不管什么顏色的燈珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中，效率高達80%。
SM7523必須頂！ 3W超低成本方案！
