請(qǐng)教各位:同樣負(fù)載條件下,反激變壓器在高電壓輸入容易磁飽和還是低電壓輸入容易磁飽和?
初級(jí)電流,高壓輸入時(shí)di/dt較大,而低壓輸入時(shí)直流分量較大,同樣是影響磁飽和的因素。
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請(qǐng)教各位:同樣負(fù)載條件下,反激變壓器在高電壓輸入容易磁飽和還是低電壓輸入容易磁飽和?
初級(jí)電流,高壓輸入時(shí)di/dt較大,而低壓輸入時(shí)直流分量較大,同樣是影響磁飽和的因素。
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對(duì)于始終工作于DCM的反激來(lái)說(shuō),相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。
請(qǐng)問(wèn)這個(gè)如何解釋,那如果是一樣的為什么低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低呢。
對(duì)于DCM的反激來(lái)說(shuō),其輸出的能量等于開關(guān)管開通時(shí)變壓器存儲(chǔ)的能量,變壓器存儲(chǔ)的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此輸出功率Po=Pin*效率。從這個(gè)式子可以看出,峰值電流只和輸出功率、原邊電感量、頻率有關(guān)。一定要和輸入電壓扯上關(guān)系的話,只能是高低壓時(shí)效率不同了,當(dāng)然這個(gè)效率差別有多大,要看你自身的設(shè)計(jì)了。從原理上來(lái)說(shuō),DCM的反激原邊峰值電流和輸入電壓是沒(méi)有關(guān)系的,這個(gè)你可以自己做個(gè)測(cè)試。
你所說(shuō)的低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低的問(wèn)題是由于通常情況下,反激在低壓重載的時(shí)候是CCM工作的,峰值電流比DCM時(shí)小。
"對(duì)于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來(lái)說(shuō),DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。"
對(duì)于這點(diǎn)我沒(méi)語(yǔ)言了~~已經(jīng)不知道糾正多少次了,好吧再說(shuō)一次,對(duì)于一個(gè)電源,當(dāng)進(jìn)入CCM時(shí),峰值電流肯定是要大于在DCM的時(shí)候!
這個(gè)早就有結(jié)論的,不想再多說(shuō)了 ,你可以參考這個(gè)帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315 里面我多次提到,有計(jì)算,有圖示!