下圖為一個驅動高端MOSFET的驅動電路,通過專用的驅動光耦完成。
目前的問題就是目前的方案驅動電流太小,只有uA級別,MOSFET開通過程太慢很容易炸管,具體表現在一開機MOSFET就炸。
現有幾個問題需要明確;
1. MOSFET的驅動電壓需要大于12V,最好15V。
2. 驅動電流需要安培級別的,至少也要百mA級的,否則MOSFET開啟速度過慢。
3. 必須為隔離驅動,驅動前的電路需要與MOSFET連接的功率電路隔離開。
4. 電路為直流應用(MOSFET開通后在額定工作條件下不會關斷,超過額定電流按照I2T反時限關斷),目前只能想到光耦器件;如果是交流應用就簡單了何以使用驅動變壓器。
主要是以上幾個重點問題,有沒有什么比較好的解決方案,電路越簡單越好。