新做個BOOST其中的保護(hù)電路也是受這個精華貼http://bbs.dianyuan.com/topic/713792的啟發(fā)做出的，再次表示對各位同道的感謝。

些天一直在搞這個BOOST電路的短路保護(hù)，這個帖子上提到的方案幾乎都試過了，而提出的各種問題幾乎都遇到了哎。最終還是一個結(jié)論大功率BOOST實現(xiàn)短路保護(hù)并且能自恢復(fù)且負(fù)載還有很大容性負(fù)載、，怎么做都是存在風(fēng)險。

Boost拓?fù)錄Q定了保護(hù)時必須將輸入與輸出斷開，關(guān)斷芯片PWM輸出是沒用的，故聽從大家的意見在輸出的負(fù)極上接入1只NMOS做開關(guān)，短路時斷開。原理上可行。實驗時一短路即燒壞MOS導(dǎo)致DS短路。

分析原因短路時靠檢測到過流而斷開開關(guān)，開關(guān)斷開后電流迅速減小開關(guān)馬上導(dǎo)通，這個開關(guān)頻率很高導(dǎo)致很大開關(guān)損耗而燒壞MOS。

為解決這個問題如上面一位的方法短路斷開開關(guān)后用NE555做延時，短路開關(guān)斷開500MS后再檢測輸出電流，以達(dá)到MOS開關(guān)每個周期至少有500MS是關(guān)斷時間減小損耗。實驗可實現(xiàn)長期短路不損壞MOS。

這時又出現(xiàn)另一個問題，開機無法啟動，分析原因輸出負(fù)載有很大的電容導(dǎo)致開機時為該電容充電電流很大，過流保護(hù)電路檢測到這個電流當(dāng)做短路而做保護(hù)，導(dǎo)致無法啟動。這時如果將過流保護(hù)動作的延遲時間延長，即對這個充電電流不檢測，即可啟動，但當(dāng)短路上電時的保護(hù)又造成影響，導(dǎo)致保護(hù)MOS溫升過高短路時間一長即損壞MOS。因為上電時輸入直接可到達(dá)輸出對電容充電故這個充電電流也不好通過緩啟動來減小。除非在輸入端串入限流電阻。又造成大的功耗。  小弟愚見，還望大師提出意見。