由于最近在做一款照明電源,采用半橋隔離驅動,在調試過程發(fā)現(xiàn),芯片本體驅動800V MOS管要比驅動600V MOS 管燙(常溫下80度),對比時其它條件不變。現(xiàn)在想在不改變驅動芯片的情況下,如何提高芯片的驅動能力,驅動800VMOS?
600V MOS工作時驅動波形(Q g=27nc;RDS=0.165-0.19歐姆):
800V MOS工作時驅動波形(Qg=88-117nc;RDS=0.25-0.29歐姆)
從工作時驅動波形可知,800V驅動波形很尖,MOS管導通時間很短,并且在開通和關斷是有一定的震蕩產生。
為在不改變驅動芯片的情況下驅動此款800V MOS,試圖調整驅動變壓器感量大小,驅動電阻大小、芯片死區(qū)時間大小均無效果,還望高手給予指導!!!!!!