由于最近在做一款照明電源，采用半橋隔離驅動，在調試過程發現，芯片本體驅動800V MOS管要比驅動600V MOS 管燙（常溫下80度），對比時其它條件不變。現在想在不改變驅動芯片的情況下，如何提高芯片的驅動能力，驅動800VMOS?  

600V MOS工作時驅動波形（Q g=27nc;RDS=0.165-0.19歐姆）：

800V MOS工作時驅動波形（Qg=88-117nc;RDS=0.25-0.29歐姆）

從工作時驅動波形可知，800V驅動波形很尖，MOS管導通時間很短，并且在開通和關斷是有一定的震蕩產生。

為在不改變驅動芯片的情況下驅動此款800V MOS，試圖調整驅動變壓器感量大小，驅動電阻大小、芯片死區時間大小均無效果，還望高手給予指導!!!!!!