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SG6849帶載能力差.請幫忙,各位DX!!

OUTPUT:36VDC 420mA
低壓輸入時MOS管的波形中間有根刺,但把輸入電壓調(diào)高再調(diào)低又沒有了.
怎么回事呀?哪里有問題?
變壓器參數(shù):
Np=104T
Ns=50T
Nf=25T
L=1.5mH
EE-22
這樣合不合理呀?
431的取樣電阻要怎樣選?多大較好?
全部回復(fù)(13)
正序查看
倒序查看
greatwill
LV.3
2
2004-09-03 17:45
SG6849內(nèi)部有22V的OVP,注意正常工作時Vcc電壓不要超過20V.

另外,低壓輸入時MOS管的波形中間有根刺,但把輸入電壓調(diào)高再調(diào)低又沒有了

這很可能是由於干擾引起的,注意地綫或者調(diào)節(jié)電感量試試


500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094247879.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
0
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drill
LV.5
3
2004-09-03 17:58
@greatwill
SG6849內(nèi)部有22V的OVP,注意正常工作時Vcc電壓不要超過20V.另外,低壓輸入時MOS管的波形中間有根刺,但把輸入電壓調(diào)高再調(diào)低又沒有了這很可能是由於干擾引起的,注意地綫或者調(diào)節(jié)電感量試試[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094247879.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
Vcc有18.3V,我把感量減少之后那刺還是存在.
還有個問題:高壓輸入時短路后無法恢復(fù),要先空載再帶載才行.
0
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greatwill
LV.3
4
2004-09-03 18:04
@drill
Vcc有18.3V,我把感量減少之后那刺還是存在.還有個問題:高壓輸入時短路后無法恢復(fù),要先空載再帶載才行.
地綫按照上圖的方式分開試試.
把原理圖和LAYOUT貼上來或發(fā)到我郵箱GEORGE.LIANG@SG.COM.TW分析看看
0
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drill
LV.5
5
2004-09-03 18:07
@greatwill
地綫按照上圖的方式分開試試.把原理圖和LAYOUT貼上來或發(fā)到我郵箱GEORGE.LIANG@SG.COM.TW分析看看
PCB走線與你的差不多,以前人家通過了系列認證的了,只是現(xiàn)在要做到36V.
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greatwill
LV.3
6
2004-09-03 18:11
@drill
PCB走線與你的差不多,以前人家通過了系列認證的了,只是現(xiàn)在要做到36V.
把回授調(diào)低點試試
0
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drill
LV.5
7
2004-09-04 10:03
@greatwill
把回授調(diào)低點試試
那根刺是怎么產(chǎn)生的呢?
0
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drill
LV.5
8
2004-09-13 16:34
@drill
那根刺是怎么產(chǎn)生的呢?
真的是次級圈數(shù)太多了.現(xiàn)在好了,全部沒問題!
0
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jimno1
LV.3
9
2005-01-26 18:08
@greatwill
把回授調(diào)低點試試
Pls inform me price of SG6849
0
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zhaogw
LV.4
10
2005-03-02 22:55
@jimno1
PlsinformmepriceofSG6849
SG6849有沒有量產(chǎn)?比SG6848好嗎?
0
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依然-pwm
LV.6
11
2005-03-03 17:13
@greatwill
把回授調(diào)低點試試
SG6849是通過降頻來實現(xiàn)低功耗的,有什么好辦法來確定其空載時頻率定為10多K左右呢?有時低至10K以下,聲音就相當大了.
0
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binliy
LV.2
12
2005-03-07 13:17
有可能是內(nèi)部leading edge blanking在低壓輸入時,延時過大,而內(nèi)部過壓保護還沒有到穩(wěn)定狀態(tài),兩者配合不當導(dǎo)致.
另外本人是做IC的,正打算設(shè)計一款類似的芯片,有什么好的建議、要求、好的創(chuàng)意或者是在電源設(shè)計中的遇到的問題,希望大家能告訴我,不勝感激.MSN:binliylee@hotmail.com binliy@vip.sina.com
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lijian0801
LV.4
13
2005-09-21 09:58
@drill
真的是次級圈數(shù)太多了.現(xiàn)在好了,全部沒問題!
我覺得應(yīng)該是在反饋的時候把TL431的那個電阻作成可以調(diào)整的,先不管輸出電壓,如果不加反饋的時候(比如說拔掉光偶)輸出電壓比設(shè)計值高的太多,那么芯片F(xiàn)B腳的電流將會過大,芯片會不工作,也可能是間歇的開啟關(guān)斷,一般情況下不加反饋的電壓不應(yīng)該比設(shè)計值大5V以上.用這種方式來判斷是否是輸出繞組太多了.
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drill
LV.5
14
2005-09-22 09:19
@lijian0801
我覺得應(yīng)該是在反饋的時候把TL431的那個電阻作成可以調(diào)整的,先不管輸出電壓,如果不加反饋的時候(比如說拔掉光偶)輸出電壓比設(shè)計值高的太多,那么芯片F(xiàn)B腳的電流將會過大,芯片會不工作,也可能是間歇的開啟關(guān)斷,一般情況下不加反饋的電壓不應(yīng)該比設(shè)計值大5V以上.用這種方式來判斷是否是輸出繞組太多了.
謝謝指點
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